НОВОСТИ

Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

Мы рады сообщить вам, что АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Обновленный каталог 1200В IGBT модулей и Si диодные модули! 08/12/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием 1200В IGBT модулей. Также мы полностью обновили перечень выпускаемых нашим предприятием кремниевых диодных модулей. Страница заполняется, но актуальный каталог уже доступен по ссылке на страничке Диодные модули.


Новые SiC MOSFET и SiC диодные модули! 31/03/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте в ближайшее время будут доступны обновленные страницы, посвященные SiC MOSFET модулям 2-го и 3-го поколений, а также SiC диодным модулям. Каталоги с ними вы уже можете скачать на страничке Силовые модули SiC приемка ОТК. Следите за обновлениями!


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Интеллектуальные IGBT модули

Интеллектуальные силовые модули IGBT: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием интеллектуальным силовым модулям на основе IGBT транзисторов. Как и в случае с обычными IGBT-модулями, основу IGBT-модулей составляют IGBT-транзисторы. Основными отличиями являются:

  • малая величина напряжения насыщения (не более 2,5 В);

  • устойчивость к большим импульсным токам, малые ёмкости и заряды затворов;

  • расширенный диапазон области безопасной работы;

  • высокие частоты переключения (до 30 кГц).

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость.

Приборы имеют схожую с обычными IGBT-модулями структуру – одиночный ключ, прерыватель тока, полумост, мост, «косой» мост, трехфазный мост, однако к структуре был дополнительно добавлен драйвер управления силовым модулем. Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Расшифровка_int_IGBT

Рис. 1  Условные обозначения, формирующие название выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей 

Электрические схемы выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей: 

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных IGBT-модулей.

Таблица 1 – Электрические схемы интеллектуальных IGBT-модулей

МСТКИ

МС2ТКИ

Рисунок 2.1 – Схема модуля МСТКИ Рисунок 2.2 – Схема модуля МС2ТКИ

МС4ТКИ

Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКИ
МС6ТКИ
Рисунок 2.4 – Схема модуля МС6ТКИ
МС6Д6ТКИ
Рисунок 2.5 – Схема модуля МС6Д6ТКИ
МС6Д7ТКИ
Рисунок 2.6 – Схема модуля МС6Д7ТКИ
МСТКИД МСДТКИ
Рисунок 2.7 – Схема модуля МСТКИД Рисунок 2.8 – Схема модуля МСДТКИ

Силовые интеллектуальные модули имеют встроенные в корпус модуля одно или многоканальный драйвер.

Перечень интеллектуальных силовых IGBT-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных силовых IGBT-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Таблица 2  Перечень выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей
Наименование силового
модуля
Основные характеристики Корпус
модуля
Рис.
Схема
модуля
Рис.
Характеристики транзистора Характеристики диода
Uce,max. Ic,max. Uce(sat) Id,max. UF
В А В А В
МСТКИ - 1200В,  1700В
МСТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.1
МСТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСТКИ-200-12 1200 200 2,2 200 2,1
МСТКИ-50-17 1700 50 2,1 50 2
МСТКИ-100-17 1700 100 2,1 100 2
МСТКИ-200-17 1700 200 2,2 200 2,1
МС2ТКИ - 1200В,  1700В
МС2ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.2
МС2ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС2ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС2ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС4ТКИ - 1200В,  1700В  
МС4ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.3
МС4ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС4ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС4ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.4
МС6ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6Д6ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6Д6ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.5
МС6Д6ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6Д6ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6Д6ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6Д7ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6Д7ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.6
МС6Д7ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6Д7ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6Д7ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МСТКИД - 1200В,  1700В
МСТКИД-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.7
МСТКИД-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСТКИД-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МСТКИД-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МСДТКИ - 1200В,  1700В
МСДТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.8
МСДТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСДТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МСДТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2

Используемые при корпусировании интеллектуальных силовых модулей корпуса:

В таблице 3 представлены изображения корпусов используемых при корпусировании интеллектуальных IGBT-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".

Таблица 3 - Применяемые корпуса

435744.002 ГЧ

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

LoPack+драйвер

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

Рисунок 3.1 – Модель корпуса АДТГ.735314.001 
размерами 94×34×35 мм
Рисунок 3.2 – Корпус модуля АДТГ.685171.001 размерами 122х62х20,5 мм совместно с драйвером
  © 2007 - 2021 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты