НОВОСТИ

НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" на «МАКС-2017»! 09/07/2017

C 18 по 23 июля в г. Жуковском состоится Международный авиационно-космический салон «МАКС-2017» в котором примет участие ПАО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ". Подробнее в разделе "Новости".


Новые ОКР НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ"! 09/07/2017

В настоящее время ПАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выполняет ряд работ в рамках реализации государственной программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса», подробнее в разделе "Новости".


Обновленная информация в нашем каталоге! 06/06/2016

С радостью сообщаем вам, что на данный момент вы можете ознакомиться с представленной в каталоге "Продукция" обновленной информацией:

Вся информация, представленная в разделах является актуальной, страницы, помеченные как наполняющиеся, будут пополняться дополнительной информацией с течением времени.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Интеллектуальные IGBT модули

Интеллектуальные силовые модули IGBT: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием интеллектуальным силовым модулям на основе IGBT транзисторов. Как и в случае с обычными IGBT-модулями, основу IGBT-модулей составляют IGBT-транзисторы. Основными отличиями являются:

  • малая величина напряжения насыщения (не более 2,5 В);

  • устойчивость к большим импульсным токам, малые ёмкости и заряды затворов;

  • расширенный диапазон области безопасной работы;

  • высокие частоты переключения (до 30 кГц).

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость.

Приборы имеют схожую с обычными IGBT-модулями структуру – одиночный ключ, прерыватель тока, полумост, мост, «косой» мост, трехфазный мост, однако к структуре был дополнительно добавлен драйвер управления силовым модулем. Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Расшифровка_int_IGBT

Рис. 1  Условные обозначения, формирующие название выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей 

Электрические схемы выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей: 

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных IGBT-модулей.

Таблица 1 – Электрические схемы интеллектуальных IGBT-модулей

МСТКИ

МС2ТКИ

Рисунок 2.1 – Схема модуля МСТКИ Рисунок 2.2 – Схема модуля МС2ТКИ

МС4ТКИ

Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКИ
МС6ТКИ
Рисунок 2.4 – Схема модуля МС6ТКИ
МС6Д6ТКИ
Рисунок 2.5 – Схема модуля МС6Д6ТКИ
МС6Д7ТКИ
Рисунок 2.6 – Схема модуля МС6Д7ТКИ
МСТКИД МСДТКИ
Рисунок 2.7 – Схема модуля МСТКИД Рисунок 2.8 – Схема модуля МСДТКИ

Силовые интеллектуальные модули имеют встроенные в корпус модуля одно или многоканальный драйвер.

Перечень интеллектуальных силовых IGBT-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных силовых IGBT-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Таблица 2  Перечень выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей
Наименование силового
модуля
Основные характеристики Корпус
модуля
Рис.
Схема
модуля
Рис.
Характеристики транзистора Характеристики диода
Uce,max. Ic,max. Uce(sat) Id,max. UF
В А В А В
МСТКИ - 1200В,  1700В
МСТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.1
МСТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСТКИ-200-12 1200 200 2,2 200 2,1
МСТКИ-50-17 1700 50 2,1 50 2
МСТКИ-100-17 1700 100 2,1 100 2
МСТКИ-200-17 1700 200 2,2 200 2,1
МС2ТКИ - 1200В,  1700В
МС2ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.2
МС2ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС2ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС2ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС4ТКИ - 1200В,  1700В  
МС4ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.3
МС4ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС4ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС4ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.4
МС6ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6Д6ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6Д6ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.5
МС6Д6ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6Д6ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6Д6ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МС6Д7ТКИ - 1200В,  1700В 
МС6Д7ТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.2 2.6
МС6Д7ТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МС6Д7ТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МС6Д7ТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МСТКИД - 1200В,  1700В
МСТКИД-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.7
МСТКИД-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСТКИД-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МСТКИД-100-17 1700 100 2,3 100 2,2
МСДТКИ - 1200В,  1700В
МСДТКИ-50-12 1200 50 2,1 50 2 3.1 2.8
МСДТКИ-100-12 1200 100 2,1 100 2
МСДТКИ-50-17 1700 50 2,3 50 2,2
МСДТКИ-100-17 1700 100 2,3 100 2,2

Используемые при корпусировании интеллектуальных силовых модулей корпуса:

В таблице 3 представлены изображения корпусов используемых при корпусировании интеллектуальных IGBT-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".

Таблица 3 - Применяемые корпуса

435744.002 ГЧ

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

LoPack+драйвер

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

Рисунок 3.1 – Корпус модуля размерами 94×34×36 Рисунок 3.2 – Корпус модуля размерами
122х62х20,5 мм совместно с драйвером
  © 2007 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты