НОВОСТИ

Новая линейка SiС силовых модулей - SiC MOSFET 1200В второго поколения! 12/09/2022

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен каталог новой линейки SiС силовых модулей SiC MOSFET (K1) 1200В второго поколения (Gen2). Соответствующая страница заполняется, но актуальный каталог уже доступен для скачивания по ссылке выше.


Новая линейка Si силовых модулей - IGBT NPT+ поколения Е1! 31/08/2022

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен каталог новой линейки Si силовых модулей IGBT (БТИЗ) NPT+ поколения Е1. Соответствующая страница заполняется, но актуальный каталог уже доступен для скачивания по ссылке выше.


Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

Мы рады сообщить вам, что АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Силовые модули SiC

Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки: 

Данный раздел сайта посвящен выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки.

Выпускаемая нашим предприятием продукция на основе карбида кремния:

На данный момент АО НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выпускает следующие варианты силовых модулей с использование карбидкремниевой ЭКБ:

  • модули на основе SiC Диодов Шоттки, рассчитанные на работу с напряжениями в 600В, 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2), рассчитанные на работу с напряжениями в 1200В и 1700В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 3го поколения (СРМ3), рассчитанные на работу с напряжениями в 900В и 1200В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 900В и 1200В.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

helmet.png Обратите внимание: подробные страницы, посвященные каждому типу данных модулей, находятся в разработке, однако, уже сейчас можно скачать общий каталоги на данной странице ниже, просто кликнув по соответствующим иконкам. 

Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей:

Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения (СРМ2), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). pdf_download_2.png
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения (СРМ3), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 900В и 1200В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). pdf_download_2.png
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC модулей на основе Диодов Шотткирассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В. pdf_download_2.png
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.

Чем уникален карбид кремния (SiC) как материал силовой электроники:

Карбид кремния (SiC), как материал силовой электроники, имеет массу преимуществ над традиционно применяемым в данной области кремнием – более подробно о преимуществах вы можете прочитать в нашем специальном материале здесь

Именно поэтому список различных модулей с применением данного полупроводникового материала, выпускаемых нашим предприятием, вынесен в отдельный подраздел, так как спрос на подобные изделия уже крайне высок и будет продолжать расти, как и номенклатура доступных модулей.

Преимущества SiC Диодов и SiC MOSFET над кремниевыми аналогами:

Если выделить вкратце преимущества карбида кремния (SiC), как материал силовой электроники из приведенной выше статьи, то к отличительным чертам SiC Диодов и SiC MOSFET можно отнести:

  • более высокие пробивные напряжения (как для транзисторов, так и для диодов) вкупе с более низким сопротивлением канала (для транзисторов);

  • высокие плотности тока как транзисторов, так и диодов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал приборов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Область применения карбидкремниевых силовых модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • импульсные источники питания;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Карта раздела:

  © 2007 - 2022 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты