НОВОСТИ

Обновленная линейка SiС диодных силовых модулей! 12/12/2022

Теперь на нашем сайте доступен обновленный каталог SiC диодных силовых модулей - 1200В\1700В SiC Schottky диодные модули.


Новая линейка силовых модулей с драйверами управления! 22/11/2022

На нашем сайте стали доступны каталоги новых линеек силовых модулей с интегрированным драйвером управления - 1200В SiC MOSFET+DRV (K1) второго поколения (Gen2), а также 1200В\1700В IGBT+DRV (БТИЗ) NPT+ поколения Е1


Новая линейка SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET второго поколения! 12/09/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET (K1) второго поколения (Gen2).


Новая линейка Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT NPT+ поколения Е1! 31/08/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT (БТИЗ) NPT+ поколения Е1.


Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

SiC MOSFET и SiC Диодные модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки: 

Данный страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки. Также, данные модули имеют приемку ОТК.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.

Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей
В скором времени, на соответствующих ниже будет представлен актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией     вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.  СРМ2
1200В
1700В
PDF_download_2
Также будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения, также в удобном для быстрого ознакомления виде, при этом каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.   СРМ3
900В
1200В
PDF_download_2
Также, в скором времени, будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC Диодных модулей  в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией     вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.  1200В
1700В
PDF_download_2
  © 2007 - 2023 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты