НОВОСТИ

Обновленный каталог 1200В IGBT модулей и Si диодные модули! ^08/12/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием 1200В IGBT модулей. Также мы полностью обновили перечень выпускаемых нашим предприятием кремниевых диодных модулей. Страница заполняется, но актуальный каталог уже доступен по ссылке на страничке Диодные модули.

Новые SiC MOSFET и SiC диодные модули! ^31/03/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте в ближайшее время будут доступны обновленные страницы, посвященные SiC MOSFET модулям 2-го и 3-го поколений, а также SiC диодным модулям. Каталоги с ними вы уже можете скачать на страничке Силовые модули SiC приемка ОТК. Следите за обновлениями!

Смена наименования предприятия! ^23/07/2019

Настоящим уведомляем, что в целях приведения существующего наименования Общества в соответствие с действующим законодательством, наименование предприятия было изменено.
Подробнее в разделе "Новости".

^{Важная информация!}
Здравствуйте!

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании.

И не забывайте следить за обновлениями!

SiC MOSFET и SiC Диодные модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки:

Данный страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки. Также, данные модули имеют приемку ОТК.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (R_ds(on)), обладают и меньшей ценой.

Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

**Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей**
В скором времени, на соответствующих ниже будет представлен актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.	СРМ2 1200В 1700В
Также будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения, также в удобном для быстрого ознакомления виде, при этом каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.	СРМ3 900В 1200В
Также, в скором времени, будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC Диодных модулей в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.	1200В 1700В