НОВОСТИ

Разработка новых SiC MOSFET модулей! 11/12/2019

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте в ближайшее время будут доступны обновленные страницы, посвященные SiC MOSFET модулям 2-го и 3-го поколений. Каталоги с ними вы уже можете скачать на страничке SiC MOSFET модули. Следите за обновлениями!


Новый каталог 1200В IGBT модулей! 10/12/2019

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием 1200В IGBT модулей.


Смена наименования предприятия! 23/07/2019

Настоящим уведомляем, что в целях приведения существующего наименования Общества в соответствие с действующим законодательством, наименование предприятия было изменено.
Подробнее в разделе "Новости".


Новый каталог MOSFET модулей! 16/05/2019

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием MOSFET модулей.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

SiC MOSFET модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET: 

Работы_по_сайту

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3).

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.

Отличительными чертами всех SiC MOSFET транзисторов являются:

  • более высокие пробивные напряжения вкупе с более низким сопротивлением канала в открытом состоянии при сопоставимых токах стока кремниевых транзисторов;

  • высокие плотности тока транзисторов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал транзисторов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Область применения SiC MOSFET модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Актуальные каталоги SiC MOSFET модулей
В скором времени ниже будет представлен актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией     вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.  СРМ2
1200В
1700В
PDF_download_2
Также будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения, также в удобном для быстрого ознакомления виде, при этом каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас.   СРМ3
900В
1200В
PDF_download_2

Основные эксплуатационные характеристики SiC MOSFET модулей:

  • максимальное напряжение затвор - исток Vgs(max) в пределах -10/+25 В;

  • пробивное напряжение изоляции силовых выводов Visol не более 2500 В;

  • максимально допустимая мощность рассеивания Pmax не более 250 Вт;

  • температура эксплуатации Tj от -55 до 125 °С;

  • температура хранения Tstg от -55 до 125 °С.

  © 2007 - 2020 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты