НОВОСТИ

НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" на «МАКС-2017»! 09/07/2017

C 18 по 23 июля в г. Жуковском состоится Международный авиационно-космический салон «МАКС-2017» в котором примет участие ПАО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ". Подробнее в разделе "Новости".


Новые ОКР НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ"! 09/07/2017

В настоящее время ПАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выполняет ряд работ в рамках реализации государственной программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса», подробнее в разделе "Новости".


Обновленная информация в нашем каталоге! 06/06/2016

С радостью сообщаем вам, что на данный момент вы можете ознакомиться с представленной в каталоге "Продукция" обновленной информацией:

Вся информация, представленная в разделах является актуальной, страницы, помеченные как наполняющиеся, будут пополняться дополнительной информацией с течением времени.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

SiC MOSFET модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы. Отличительными чертами SiC MOSFET является:

  • более высокие пробивные напряжения вкупе с более низким сопротивлением канала в открытом состоянии при сопоставимых токах стока кремниевых транзисторов;

  • высокие плотности тока транзисторов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал транзисторов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Область применения SiC MOSFET модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Расшифровка_SiC_MOSFET

Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых SiC MOSFET-модулей

Электрическая схема выпускаемых SiC MOSFET-модулей:

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием SiC MOSFET-модулей.

Таблица 1 – Электрическая схема SiC MOSFET-модулей и применяемый корпус

М2ТКПК

М6ТКПК

Рисунок 2.1 – Схема модуля М2ТКПК Рисунок 2.2 – Схема модуля М6ТКПК

Основные эксплуатационные характеристики SiC MOSFET модулей:

  • максимальное напряжение затвор - исток Vgs(max) в пределах -10/+25 В;

  • пробивное напряжение изоляции силовых выводов Visol не более 2500 В;

  • максимально допустимая мощность рассеивания Pmax не более 250 Вт;

  • температура эксплуатации Tj от -55 до 125 °С;

  • температура хранения Tstg от -55 до 125 °С.

Перечень силовых SiC MOSFET-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием силовых SiC MOSFET-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Таблица 2 – Перечень выпускаемых SiC MOSFET-модулей
Наименование 
силового SiC модуля
Основные характеристики Корпус
модуля
Рис.
Схема
модуля
Рис.
Инфо
Характеристики
транзистора
Характеристики
диода
Uds,max. Id,max.
при 25 °С;
100 °С
Rds(sat)
при 25 °С;
125 °С
Id,max.
при 25 °С;
100 °С
UF
при 25 °С;
125 °С
В А мОм А В
М2ТКПК – 1200В
М2ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
3.1 2.1 Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-180-12 1200 180
120
12,5
21,5
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-270-12 1200 270
180
6,25
10,75
270
180
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-360-12 1200 360
240
3,125
5,375
360
240
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-450-12 1200 450
300
1,56
2,7
450
300
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-540-12 1200 540
360
0,78
1,35
540
360
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК – 1200В
М6ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
3.2 2.1 Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК-180-12 1200 180
120
12,5
21,5
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК-270-12 1200 270
180
6,25
10,75
270
180
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК-360-12 1200 360
240
3,125
5,375
360
240
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32

В таблице 3 представлены изображения  корпусов используемых при корпусировании SiC MOSFET-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".

Таблица 3 - Применяемые корпуса

435744002_gch.png

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

lopack_gch-01.png

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

Рисунок 3.1 – Корпус модуля размерами 94×34×36 Рисунок 3.2 – Корпус модуля размерами 122х62х20,5 мм
  © 2007 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты