НОВОСТИ

Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

Мы рады сообщить вам, что АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Обновленный каталог 1200В IGBT модулей и Si диодные модули! 08/12/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием 1200В IGBT модулей. Также мы полностью обновили перечень выпускаемых нашим предприятием кремниевых диодных модулей. Страница заполняется, но актуальный каталог уже доступен по ссылке на страничке Диодные модули.


Новые SiC MOSFET и SiC диодные модули! 31/03/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте в ближайшее время будут доступны обновленные страницы, посвященные SiC MOSFET модулям 2-го и 3-го поколений, а также SiC диодным модулям. Каталоги с ними вы уже можете скачать на страничке Силовые модули SiC приемка ОТК. Следите за обновлениями!


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

SiC MOSFET модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы. Отличительными чертами SiC MOSFET является:

  • более высокие пробивные напряжения вкупе с более низким сопротивлением канала в открытом состоянии при сопоставимых токах стока кремниевых транзисторов;

  • высокие плотности тока транзисторов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал транзисторов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Область применения SiC MOSFET модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Расшифровка_SiC_MOSFET

Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых SiC MOSFET-модулей

Электрическая схема выпускаемых SiC MOSFET-модулей:

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием SiC MOSFET-модулей.

Таблица 1 – Электрическая схема SiC MOSFET-модулей и применяемый корпус

М2ТКПК

М4ТКПК

Рисунок 2.1 – Схема модуля М2ТКПК Рисунок 2.2 – Схема модуля М4ТКПК
МС4ТКПК
Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКПК
М6ТКПК
Рисунок 2.4 – Схема модуля М6ТКПК

Основные эксплуатационные характеристики SiC MOSFET модулей:

  • максимальное напряжение затвор - исток Vgs(max) в пределах -10/+25 В;

  • пробивное напряжение изоляции силовых выводов Visol не более 2500 В;

  • максимально допустимая мощность рассеивания Pmax не более 250 Вт;

  • температура эксплуатации Tj от -55 до 125 °С;

  • температура хранения Tstg от -55 до 125 °С.

Перечень силовых SiC MOSFET-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием силовых SiC MOSFET-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Таблица 2 – Перечень выпускаемых SiC MOSFET-модулей
Наименование 
силового SiC модуля
Основные характеристики Корпус
модуля
Рис.
Схема
модуля
Рис.

Data
Sheet

Характеристики
транзистора
Характеристики
диода
Uds,max. Id,max.
при 25 °С;
100 °С
Rds(sat)
при 25 °С;
125 °С
Id,max.
при 25 °С;
100 °С
UF
при 25 °С;
125 °С
В А мОм А В
М2ТКПК – 1200В
М2ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
3.1 2.1 Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-180-12 1200 180
120
12,5
23
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-360-12 1200 360
240
6,2
11
360
240
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М2ТКПК-540-12 1200 540
360
4,2
7,2
540
360
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М4ТКПК – 900В, 1200В
М4ТКПК-196-9 900 196
140
10 196
140
3,3
3,0
3.2 2.2 Adobe_PDF_file_icon_32x32
М4ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М4ТКПК-180-12 1200 180
120
12
22
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
МС4ТКПК – 900В, 1200В
МС4ТКПК-196-9 900 196
140
10 196
140
3,3
3,0
3.3 2.3 Adobe_PDF_file_icon_32x32
МС4ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
МС4ТКПК-180-12 1200 180
120
12
22
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК – 1200В
М6ТКПК-90-12 1200 90
60
25
43
90
60
3,3
3,0
3.2 2.4 Adobe_PDF_file_icon_32x32
М6ТКПК-180-12 1200 180
120
12,5
21,5
180
120
3,3
3,0
Adobe_PDF_file_icon_32x32

В таблице 3 представлены изображения  корпусов используемых при корпусировании SiC MOSFET-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".

Таблица 3 - Применяемые корпуса

435744002_gch.png

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

lopack_gch-01.png

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)

Рисунок 3.1 – Модель корпуса АДТГ.735314.001 
размерами 94×34×35 мм
Рисунок 3.2 – Модель корпуса АДТГ.685171.001 
размерами 122х62х20,5 мм

lopackdrayver.png

(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение)
Рисунок 3.3 – Корпус модуля АДТГ.685171.001 размерами 122х62х20,5 мм совместно с драйвером
  © 2007 - 2021 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты