НОВОСТИ

Обновленная линейка SiС диодных силовых модулей! 12/12/2022

Теперь на нашем сайте доступен обновленный каталог SiC диодных силовых модулей - 1200В\1700В SiC Schottky диодные модули.


Новая линейка силовых модулей с драйверами управления! 22/11/2022

На нашем сайте стали доступны каталоги новых линеек силовых модулей с интегрированным драйвером управления - 1200В SiC MOSFET+DRV (K1) второго поколения (Gen2), а также 1200В\1700В IGBT+DRV (БТИЗ) NPT+ поколения Е1


Новая линейка SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET второго поколения! 12/09/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET (K1) второго поколения (Gen2).


Новая линейка Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT NPT+ поколения Е1! 31/08/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT (БТИЗ) NPT+ поколения Е1.


Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Сравнение параметров модулей

Сравнение параметров модулей М2ТКС-50-12 и модулей CM50DU-24F
(High Frequency IGBT Modules/NFH-Series) фирмы MITSUBISHI ELECTRIC, 2006 год.

Параметр

Обзначение

Величина

Единицы

М2ТКС

CM50DU-24F

Напряжение коллектор-эмиттер Uce 1200 1200 В
Напряжение затвор-эмиттер Uge +20 (+15) ±20 В
0
Постоянный ток коллектора (Тс=25 оС) Ic 50 50 А
Импульсный ток коллектора  Icр 100 100 А
tи = 1 мс (Тс=25 оС)
Напряжение изоляции корпуса Uisol 2500 2500 В
Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC 0,42 0,39 оС/Вт
Пороговое напряжение коллектор-эмиттер Iс = 10 мА Ugе(th) 4,5 6 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uсе(sat)      
Ugе=15В, Iс = 35 А      
Ugе=15В, Iс = 50 А 1,4  2,0 В
Ток утечки коллектора  Iсеs 0,7 1 мА
Uсе=900 В
Ток утечки затвора Igеs <10 500 нА
Крутизна gfs 130 ? А/В
Входная емкость Ciss 10 20 нФ
Выходная емкость Coss 0,6 0,85 нФ
Проходная емкость Crss 0,3 0,5 нФ
Время задержки включения td(on) 60 100 нс
Время нарастания tr 80 50 нс
Время задержки выключения td(off) 300 300 нс
Время спада tf 100 300 нс
Длительность остаточного тока tt 1,5 ? мкс
Амплитуда остаточного тока It 9 ? А

Габариты CM50DU-24F: 94 × 48 × 30 мм. Вес 310 г.

Габариты М2ТКС50-12: 94 × 34 × 30 мм. 170 г. 

  © 2007 - 2023 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты