Интеллектуальные силовые модули IGBT:
Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием интеллектуальным силовым модулям на основе IGBT транзисторов. Как и в случае с обычными IGBT-модулями, основу IGBT-модулей составляют IGBT-транзисторы. Основными отличиями являются:
малая величина напряжения насыщения (не более 2,5 В);
устойчивость к большим импульсным токам, малые ёмкости и заряды затворов;
расширенный диапазон области безопасной работы;
высокие частоты переключения (до 30 кГц).
Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость.
Приборы имеют схожую с обычными IGBT-модулями структуру – одиночный ключ, прерыватель тока, полумост, мост, «косой» мост, трехфазный мост, однако к структуре был дополнительно добавлен драйвер управления силовым модулем. Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.
Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей
Электрические схемы выпускаемых интеллектуальных IGBT-модулей:
Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных IGBT-модулей.
|
|
Рисунок 2.1 – Схема модуля МСТКИ | Рисунок 2.2 – Схема модуля МС2ТКИ |
|
|
Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКИ | |
![]() |
|
Рисунок 2.4 – Схема модуля МС6ТКИ | |
![]() |
|
Рисунок 2.5 – Схема модуля МС6Д6ТКИ | |
![]() |
|
Рисунок 2.6 – Схема модуля МС6Д7ТКИ | |
![]() |
![]() |
Рисунок 2.7 – Схема модуля МСТКИД | Рисунок 2.8 – Схема модуля МСДТКИ |
Силовые интеллектуальные модули имеют встроенные в корпус модуля одно или многоканальный драйвер.
Перечень интеллектуальных силовых IGBT-модулей и их основные характеристики:
Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных силовых IGBT-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.
Наименование силового модуля |
Основные характеристики | Корпус модуля Рис. |
Схема модуля Рис. |
||||
Характеристики транзистора | Характеристики диода | ||||||
Uce,max. | Ic,max. | Uce(sat) | Id,max. | UF | |||
В | А | В | А | В | |||
МСТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МСТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.1 | 2.1 |
МСТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МСТКИ-200-12 | 1200 | 200 | 2,2 | 200 | 2,1 | ||
МСТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | ||
МСТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МСТКИ-200-17 | 1700 | 200 | 2,2 | 200 | 2,1 | ||
МС2ТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МС2ТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.1 | 2.2 |
МС2ТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МС2ТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МС2ТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МС4ТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МС4ТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.2 | 2.3 |
МС4ТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МС4ТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МС4ТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МС6ТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МС6ТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.2 | 2.4 |
МС6ТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МС6ТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МС6ТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МС6Д6ТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МС6Д6ТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.2 | 2.5 |
МС6Д6ТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МС6Д6ТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МС6Д6ТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МС6Д7ТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МС6Д7ТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.2 | 2.6 |
МС6Д7ТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МС6Д7ТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МС6Д7ТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МСТКИД - 1200В, 1700В | |||||||
МСТКИД-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.1 | 2.7 |
МСТКИД-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МСТКИД-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МСТКИД-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 | ||
МСДТКИ - 1200В, 1700В | |||||||
МСДТКИ-50-12 | 1200 | 50 | 2,1 | 50 | 2 | 3.1 | 2.8 |
МСДТКИ-100-12 | 1200 | 100 | 2,1 | 100 | 2 | ||
МСДТКИ-50-17 | 1700 | 50 | 2,3 | 50 | 2,2 | ||
МСДТКИ-100-17 | 1700 | 100 | 2,3 | 100 | 2,2 |
Используемые при корпусировании интеллектуальных силовых модулей корпуса:
В таблице 3 представлены изображения корпусов используемых при корпусировании интеллектуальных IGBT-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".
(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение) |
(нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение) |
Рисунок 3.1 – Модель корпуса АДТГ.735314.001 размерами 94×34×35 мм |
Рисунок 3.2 – Корпус модуля АДТГ.685171.001 размерами 122х62х20,5 мм совместно с драйвером |