SiC MOSFET и SiC Диодные модули
Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки:
Данный страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки. Также, данные модули имеют приемку ОТК.
Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).
Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):
Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.
Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.
| В скором времени, на соответствующих ниже будет представлен актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас. | СРМ2 1200В 1700В |
 |
| Также будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения, также в удобном для быстрого ознакомления виде, при этом каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас. | СРМ3 900В 1200В |
|
| Также, в скором времени, будет представлен и актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC Диодных модулей в компактном и удобном виде, тогда как каталог с более подробной информацией вы можете скачать нажав на кнопку справа уже сейчас. | 1200В 1700В |
|