Интеллектуальные MOSFET модули

Интеллектуальные силовые модули MOSFET: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием интеллектуальным силовыми модулями на основе MOSFET транзисторов. Как и в случае с обычными MOSFET-модулями, основу MOSFET-модулей составляют MOSFET-транзисторы. Основными отличиями являются:

• низкое сопротивление канала сток-исток (от 0,6 мОм);

• устойчивость к большим импульсным токам, малые ёмкости и заряды затворов;

• расширенный диапазон области безопасной работы;

• высокие частоты переключения (до 100 кГц).

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость.

Приборы имеют схожую с обычными MOSFET-модулями структуру – одиночный ключ, прерыватель тока, полумост, мост, «косой» мост, трехфазный мост, однако к структуре был дополнительно добавлен драйвер управления силовым модулем. Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых интеллектуальных MOSFET-модулей 

Электрические схемы выпускаемых интеллектуальных MOSFET-модулей: 

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных MOSFET-модулей.

Таблица 1 – Электрические схемы интеллектуальных MOSFET-модулей

Рисунок 2.1 – Схема модуля МСТКП	Рисунок 2.2 – Схема модуля МС2ТКП
Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКП
Рисунок 2.4 – Схема модуля МС6ТКП
Рисунок 2.5 – Схема модуля МС6Д6ТКП
Рисунок 2.6 – Схема модуля МС6Д7ТКП
Рисунок 2.7 – Схема модуля МСТКПД	Рисунок 2.8 – Схема модуля МСДТКП

Силовые интеллектуальные модули имеют встроенные в корпус модуля одно или многоканальный драйвер.

Перечень интеллектуальных силовых MOSFET-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием интеллектуальных силовых MOSFET-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Используемые при корпусировании интеллектуальных силовых модулей корпуса:

В таблице 3 представлены изображения корпусов используемых при корпусировании интеллектуальных MOSFET-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".