SiC MOSFET модули

Силовые модули на базе SiC MOSFET: 

Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы. Отличительными чертами SiC MOSFET является:

• более высокие пробивные напряжения вкупе с более низким сопротивлением канала в открытом состоянии при сопоставимых токах стока кремниевых транзисторов;

• высокие плотности тока транзисторов, вплоть до 5·10³ А/см²;

• сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

• малые токи утечки;

• высокие допустимые рабочие температуры;

• высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал транзисторов по сравнению с кремниевыми;

• стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

Область применения SiC MOSFET модулей:

• установки индуктивного нагрева;

• частотные преобразователи;

• преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

• бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

• автомобильная электроника.

Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых SiC MOSFET-модулей

Электрическая схема выпускаемых SiC MOSFET-модулей:

Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием SiC MOSFET-модулей.

Таблица 1 – Электрическая схема SiC MOSFET-модулей и применяемый корпус

Рисунок 2.1 – Схема модуля М2ТКПК	Рисунок 2.2 – Схема модуля М4ТКПК
Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКПК
Рисунок 2.4 – Схема модуля М6ТКПК

Основные эксплуатационные характеристики SiC MOSFET модулей:

• максимальное напряжение затвор - исток V_gs(max) в пределах -10/+25 В;

• пробивное напряжение изоляции силовых выводов V_isol не более 2500 В;

• максимально допустимая мощность рассеивания P_max не более 250 Вт;

• температура эксплуатации T_j от -55 до 125 °С;

• температура хранения T_stg от -55 до 125 °С.

Перечень силовых SiC MOSFET-модулей и их основные характеристики:

Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием силовых SiC MOSFET-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус.

Таблица 2 – Перечень выпускаемых SiC MOSFET-модулей

Наименование  силового SiC модуля	Основные характеристики					Корпус модуля Рис.	Схема модуля Рис.	Data Sheet
	Характеристики транзистора			Характеристики диода
	Uds,max.	Id,max. при 25 °С; 100 °С	Rds(sat) при 25 °С; 125 °С	Id,max. при 25 °С; 100 °С	UF при 25 °С; 125 °С
	В	А	мОм	А	В
М2ТКПК – 1200В
М2ТКПК-90-12	1200	90 60	25 43	90 60	3,3 3,0	3.1	2.1
М2ТКПК-180-12	1200	180 120	12,5 23	180 120	3,3 3,0
М2ТКПК-360-12	1200	360 240	6,2 11	360 240	3,3 3,0
М2ТКПК-540-12	1200	540 360	4,2 7,2	540 360	3,3 3,0
М4ТКПК – 900В, 1200В
М4ТКПК-196-9	900	196 140	10	196 140	3,3 3,0	3.2	2.2
М4ТКПК-90-12	1200	90 60	25 43	90 60	3,3 3,0
М4ТКПК-180-12	1200	180 120	12 22	180 120	3,3 3,0
МС4ТКПК – 900В, 1200В
МС4ТКПК-196-9	900	196 140	10	196 140	3,3 3,0	3.3	2.3
МС4ТКПК-90-12	1200	90 60	25 43	90 60	3,3 3,0
МС4ТКПК-180-12	1200	180 120	12 22	180 120	3,3 3,0
М6ТКПК – 1200В
М6ТКПК-90-12	1200	90 60	25 43	90 60	3,3 3,0	3.2	2.4
М6ТКПК-180-12	1200	180 120	12,5 21,5	180 120	3,3 3,0

В таблице 3 представлены изображения  корпусов используемых при корпусировании SiC MOSFET-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице "Корпуса модулей".