г. Москва, ул. Авиамоторная, д. 55, к. 31.
1597012-8846
АО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ»
ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Главная/Продукция/H-IGBT/Сравнение параметров модулей

Сравнение параметров модулей

Сравнение параметров модулей М2ТКС-50-12 и модулей CM50DU-24F
(High Frequency IGBT Modules/NFH-Series) фирмы MITSUBISHI ELECTRIC, 2006 год.

Параметр

Обзначение

Величина

Единицы

М2ТКС

CM50DU-24F

Напряжение коллектор-эмиттер Uce 1200 1200 В
Напряжение затвор-эмиттер Uge +20 (+15) ±20 В
0
Постоянный ток коллектора (Тс=25 оС) Ic 50 50 А
Импульсный ток коллектора  Icр 100 100 А
tи = 1 мс (Тс=25 оС)
Напряжение изоляции корпуса Uisol 2500 2500 В
Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC 0,42 0,39 оС/Вт
Пороговое напряжение коллектор-эмиттер Iс = 10 мА Ugе(th) 4,5 6 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uсе(sat)      
Ugе=15В, Iс = 35 А      
Ugе=15В, Iс = 50 А 1,4  2,0 В
Ток утечки коллектора  Iсеs 0,7 1 мА
Uсе=900 В
Ток утечки затвора Igеs <10 500 нА
Крутизна gfs 130 ? А/В
Входная емкость Ciss 10 20 нФ
Выходная емкость Coss 0,6 0,85 нФ
Проходная емкость Crss 0,3 0,5 нФ
Время задержки включения td(on) 60 100 нс
Время нарастания tr 80 50 нс
Время задержки выключения td(off) 300 300 нс
Время спада tf 100 300 нс
Длительность остаточного тока tt 1,5 ? мкс
Амплитуда остаточного тока It 9 ? А

Габариты CM50DU-24F: 94 × 48 × 30 мм. Вес 310 г.

Габариты М2ТКС50-12: 94 × 34 × 30 мм. 170 г. 

ОГРНИП: 1110987654321
Звоните по номеру
Мы  находимся по адресу:
г. Москва, ул. Авиамоторная, д. 55, к. 31.
Заказать услугу
Скрытое поле:
это поле обязательно для заполнения
Строка ввода:*
это поле обязательно для заполнения
Телефон:*
это поле обязательно для заполнения
E-mail:*
это поле обязательно для заполнения
Область ввода:*
это поле обязательно для заполнения
Галочка*
Спасибо! Форма отправлена