НОВОСТИ

Обновленная линейка SiС диодных силовых модулей! 12/12/2022

Теперь на нашем сайте доступен обновленный каталог SiC диодных силовых модулей - 1200В\1700В SiC Schottky диодные модули.


Новая линейка силовых модулей с драйверами управления! 22/11/2022

На нашем сайте стали доступны каталоги новых линеек силовых модулей с интегрированным драйвером управления - 1200В SiC MOSFET+DRV (K1) второго поколения (Gen2), а также 1200В\1700В IGBT+DRV (БТИЗ) NPT+ поколения Е1


Новая линейка SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET второго поколения! 12/09/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки SiС силовых модулей - 1200В SiC MOSFET (K1) второго поколения (Gen2).


Новая линейка Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT NPT+ поколения Е1! 31/08/2022

На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки Si силовых модулей - 1200В\1700В IGBT (БТИЗ) NPT+ поколения Е1.


Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021

АО НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6»...подробнее.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Силовые модули SiC

Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки: 

Данный раздел сайта посвящен выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки.

Выпускаемая нашим предприятием продукция на основе карбида кремния:

На данный момент АО НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выпускает следующие варианты силовых модулей с использование карбидкремниевой ЭКБ:

  • модули на основе SiC Диодов Шоттки, рассчитанные на работу с напряжениями в 600В, 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2), рассчитанные на работу с напряжениями в 1200В и 1700В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 3го поколения (СРМ3), рассчитанные на работу с напряжениями в 900В и 1200В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 900В и 1200В.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

helmet.png Обратите внимание: подробные страницы, посвященные каждому типу данных модулей, находятся в разработке, однако, уже сейчас можно скачать общий каталоги на данной странице ниже, просто кликнув по соответствующим иконкам. 

Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей:

Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения (СРМ2), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). pdf_download_2.png
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения (СРМ3), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 900В и 1200В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). pdf_download_2.png
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC модулей на основе Диодов Шотткирассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В. pdf_download_2.png
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.

Чем уникален карбид кремния (SiC) как материал силовой электроники:

Карбид кремния (SiC), как материал силовой электроники, имеет массу преимуществ над традиционно применяемым в данной области кремнием – более подробно о преимуществах вы можете прочитать в нашем специальном материале здесь

Именно поэтому список различных модулей с применением данного полупроводникового материала, выпускаемых нашим предприятием, вынесен в отдельный подраздел, так как спрос на подобные изделия уже крайне высок и будет продолжать расти, как и номенклатура доступных модулей.

Преимущества SiC Диодов и SiC MOSFET над кремниевыми аналогами:

Если выделить вкратце преимущества карбида кремния (SiC), как материал силовой электроники из приведенной выше статьи, то к отличительным чертам SiC Диодов и SiC MOSFET можно отнести:

  • более высокие пробивные напряжения (как для транзисторов, так и для диодов) вкупе с более низким сопротивлением канала (для транзисторов);

  • высокие плотности тока как транзисторов, так и диодов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал приборов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Область применения карбидкремниевых силовых модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • импульсные источники питания;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Карта раздела:

  © 2007 - 2024 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты