|
Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки:
Данный раздел сайта посвящен выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки.
Выпускаемая нашим предприятием продукция на основе карбида кремния:
На данный момент АО НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выпускает следующие варианты силовых модулей с использование карбидкремниевой ЭКБ:
-
модули на основе SiC Диодов Шоттки, рассчитанные на работу с напряжениями в 600В, 1200В и 1700В;
-
модули на основе SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2), рассчитанные на работу с напряжениями в 1200В и 1700В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 1200В и 1700В;
-
модули на основе SiC MOSFET 3го поколения (СРМ3), рассчитанные на работу с напряжениями в 900В и 1200В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 900В и 1200В.
Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).
 |
Обратите внимание: подробные страницы, посвященные каждому типу данных модулей, находятся в разработке, однако, уже сейчас можно скачать общий каталоги на данной странице ниже, просто кликнув по соответствующим иконкам. |
Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей:
| Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения (СРМ2), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). |
 |
| Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения (СРМ3), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 900В и 1200В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). |
|
| Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC модулей на основе Диодов Шоттки, рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В. |
|
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.
Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):
Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.
Чем уникален карбид кремния (SiC) как материал силовой электроники:
Карбид кремния (SiC), как материал силовой электроники, имеет массу преимуществ над традиционно применяемым в данной области кремнием – более подробно о преимуществах вы можете прочитать в нашем специальном материале здесь.
Именно поэтому список различных модулей с применением данного полупроводникового материала, выпускаемых нашим предприятием, вынесен в отдельный подраздел, так как спрос на подобные изделия уже крайне высок и будет продолжать расти, как и номенклатура доступных модулей.
Преимущества SiC Диодов и SiC MOSFET над кремниевыми аналогами:
Если выделить вкратце преимущества карбида кремния (SiC), как материал силовой электроники из приведенной выше статьи, то к отличительным чертам SiC Диодов и SiC MOSFET можно отнести:
-
более высокие пробивные напряжения (как для транзисторов, так и для диодов) вкупе с более низким сопротивлением канала (для транзисторов);
-
высокие плотности тока как транзисторов, так и диодов, вплоть до 5·103 А/см2;
-
сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;
-
малые токи утечки;
-
высокие допустимые рабочие температуры;
- высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал приборов по сравнению с кремниевыми;
-
стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.
Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.
Область применения карбидкремниевых силовых модулей:
-
установки индуктивного нагрева;
-
импульсные источники питания;
-
частотные преобразователи;
-
преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;
-
бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;
-
автомобильная электроника.
Карта раздела:
|
