НОВОСТИ

Новые SiC MOSFET и SiC диодные модули! 31/03/2020

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте в ближайшее время будут доступны обновленные страницы, посвященные SiC MOSFET модулям 2-го и 3-го поколений, а также SiC диодным модулям. Каталоги с ними вы уже можете скачать на страничке Силовые модули SiC приемка ОТК. Следите за обновлениями!


Новый каталог 1200В IGBT модулей! 10/12/2019

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием 1200В IGBT модулей.


Смена наименования предприятия! 23/07/2019

Настоящим уведомляем, что в целях приведения существующего наименования Общества в соответствие с действующим законодательством, наименование предприятия было изменено.
Подробнее в разделе "Новости".


Новый каталог MOSFET модулей! 16/05/2019

Мы рады сообщить вам, что на нашем сайте доступен обновленный список выпускаемых нашим предприятием MOSFET модулей.


Важная информация! 
Здравствуйте! 

Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью - обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании

И не забывайте следить за обновлениями!

Силовые модули SiC приемка ОТК

Силовые модули на базе SiC MOSFET и SiC Диодов Шоттки приемки ОТК: 

Данный раздел сайта посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы 2-го (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3), а также диодным модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) Диоды Шоттки. Также, данные модули имеют приемку ОТК.

Выпускаемая нашим предприятием продукция на основе карбида кремния:

На данный момент АО НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» выпускает следующие варианты силовых модулей с использование карбидкремниевой ЭКБ:

  • модули на основе SiC Диодов Шоттки, рассчитанные на работу с напряжениями в 600В, 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2), рассчитанные на работу с напряжениями в 1200В и 1700В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 1200В и 1700В;

  • модули на основе SiC MOSFET 3го поколения (СРМ3), рассчитанные на работу с напряжениями в 900В и 1200В, включая аналогичные, но в комплекте с драйвером управления (интеллектуальные) на 900В и 1200В.

Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный).

helmet.png Обратите внимание: подробные страницы, посвященные каждому типу данных модулей, находятся в разработке, однако, уже сейчас можно скачать общий каталоги на данной странице ниже, просто кликнув по соответствующим иконкам. 

Актуальные каталоги SiC MOSFET и SiC Диодных модулей:

Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 2-го поколения (СРМ2), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). PDF_download_2
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC MOSFET модулей 3-го поколения (СРМ3), рассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 900В и 1200В, за исключением интеллектуальных модулей на основе (работа по данному каталогу ведется). PDF_download_2
Данный каталог отображает актуальный перечень выпускаемых предприятием SiC модулей на основе Диодов Шотткирассчитанных на работу с напряжениями вплоть до 1200В и 1700В. PDF_download_2
Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь.

Отличие кристаллов SiC MOSFET 2го поколения (СРМ2) и 3-го поколения (СРМ3):

Если кристаллы 2-го поколения остаются, пока что, лидерами по быстродействию, то кристаллы 3-го поколения, помимо сниженного сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)), обладают и меньшей ценой.

Чем уникален карбид кремния (SiC) как материал силовой электроники:

Карбид кремния (SiC), как материал силовой электроники, имеет массу преимуществ над традиционно применяемым в данной области кремнием – более подробно о преимуществах вы можете прочитать в нашем специальном материале здесь

Именно поэтому список различных модулей с применением данного полупроводникового материала, выпускаемых нашим предприятием, вынесен в отдельный подраздел, так как спрос на подобные изделия уже крайне высок и будет продолжать расти, как и номенклатура доступных модулей.

Преимущества SiC Диодов и SiC MOSFET над кремниевыми аналогами:

Если выделить вкратце преимущества карбида кремния (SiC), как материал силовой электроники из приведенной выше статьи, то к отличительным чертам SiC Диодов и SiC MOSFET можно отнести:

  • более высокие пробивные напряжения (как для транзисторов, так и для диодов) вкупе с более низким сопротивлением канала (для транзисторов);

  • высокие плотности тока как транзисторов, так и диодов, вплоть до 5·103 А/см2;

  • сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью;

  • малые токи утечки;

  • высокие допустимые рабочие температуры;

  • высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал приборов по сравнению с кремниевыми;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери.

Область применения карбидкремниевых силовых модулей:

  • установки индуктивного нагрева;

  • импульсные источники питания;

  • частотные преобразователи;

  • преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией;

  • бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания;

  • автомобильная электроника.

Карта раздела:

  © 2007 - 2020 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ
Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru
 
 
О нас Напишите нам Контакты